公司目标
凌存科技(Instontech)总部位于苏州工业园区，主要业务为开发第三代电压控制磁性存储器（Voltage-Controlled MRAM）。核心团队有多年研发和产业经验，公司已获得多项电压控制磁性存储器核心专利授权，专利涉及器件设计、电路设计、材料和工艺整合技术等，并且已成功开发出高速、高密度、低功耗的存储器原型机。凌存科技与全球各大晶圆代工厂、设计公司以及研究机构一直保持密切合作。凌存科技以推动电压控制磁性存储器量产为己任；同时希望助力我国半导体行业、尤其是存储器领域的跨越式超越。
营运模式
凌存主要业务包含两个板块：（1）芯片销售：开发基于VC-MRAM的高性能存储芯片与真机数发生器芯片，广泛应用于车载电子、高性能运算、安全等领域；(2) IP 授权：将公司存储介质、集成电路、系统及相关专利授权给有高效性运算以及安全芯片需求的公司自行开发相关产品。
公司团队
凌存广纳天下英才，拥有多位磁性存储器研发经验的资深专家。团队成员背景丰富，成员主要来自中国大陆、中国台湾、日本、美国等地知名高校、半导体企业；技术专长涵盖电路设计、半导体制程技术整合以及纳米磁性材料等。此外，凌存科技的顾问团队包括了世界知名物理学家，中国台湾院士、国内知名高校教授等业界领导人士。