车载电子

现代汽车内安装大量传感器,用以记录来自燃油喷射、点火、制动、加速等的关键数据。随着汽车变得“更智能”,需要对此类数据进行额外处理,与此同时,MCU采用的内存量也越来越大。这种存储器需要在 100 摄氏度以上的温度下保持非易失性。对于这些制造商来说,内存性能、耐用性和可靠性是最重要的问题。MRAM独特的优势将逐渐崭露头角。

案例研讨: VC-MRAM vs 他企MRAM

型号容量操作电压温度范围访问时间功耗
二代磁存储产品4Mb3.3V-40C~125C35ns200mW
VC28N04M*4Mb1.8V-40C~125C15ns60mW

*预估芯片性能,模拟结果

BMW超级摩托车和Lucid AIR均采用了并行接口MRAM。它提供35ns的访问时间,工作温度范围为 -40 至 125 度,写入期间消耗 300mW,读取期间消耗200mW。4Mb VC-MeRAM 芯片在相同的工作温度范围内提供超过2倍的速度,同时功耗降低3倍,这些数据显示了第三代 MRAM 的卓越性能。