国家“十四五“战略性技术规划中纳入新型非易失性存储

2021年12月27日,中央网络安全和信息化委员会印发了《“十四五”国家信息化规划》(以下简称《规划》),对我国“十四五”时期信息化发展作出部署安排,从总体上为我们描绘了未来五年“数字中国”的建设图景和实施路径。此《规划》高瞻远瞩,在建设数字化中国的背后,是大力发展与数字化相关的硬科技,数字化的建设离不开硬件的支持,而以集成电路为核心的数字化硬件设施在我国尚处短板,如何克服这些短板,着力发展与此相关的关键技术被纳入国家战略,意义非凡。

作为落实该任务的重要抓手“信息领域核心技术突破工程”,《规划》提出,要加快集成电路关键技术攻关。推动计算芯片、存储芯片等创新,加快集成电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发,推动绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、微机电系统(MEMS)等特色工艺突破。

《规划》也提到布局战略性前沿性技术。瞄准可能引发信息化领域范式变革的重要方向,前瞻布局战略性、前沿性、原创性、颠覆性技术。加强人工智能、量子信息、集成电路、空天信息、类脑计算、神经芯片、DNA存储、脑机接口、数字孪生、新型非易失性存储、硅基光电子、非硅基半导体等关键前沿领域的战略研究布局和技术融通创新。 由此,我国不仅把运算芯片和存储芯片放在重中之重的攻坚项目,而且把非易失性存储纳入战略性布局,这将为中国进入数字化时代提供硬件保障,而MRAM作为“非易失性存储”中的代表技术,无疑将会被国家寄予厚望。