InstonTech
IMEC,世界领先工业研机构,发表对于磁存储广泛取代现有存储的乐观太度。其中IMEC特别看重电压控制MRAM其低耗能、高速度等优点;并于12吋工业平台验证其集成工艺,达成0.9纳秒写入,246%的TMR,以及20飞焦写入耗能。
作为电压控制MRAM技术领导者的凌存科技与IMEC持共同观点,将持续研发、产业化此技术。
详细报告: https://www.imec-int.com/en/articles/mram-technologies-space-applications-unified-cache-memory