移动、可穿戴和物联网
现有芯片中，待机功耗主要损耗在内存操作上。嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 提供了零待机、即时开关操作的可能性，可显著延长待机时间。在一些关注待机时间的应用场景中，相比于SRAM 和 DRAM ，采用 MRAM将显著延长待机时间。
许多公司已经将 MRAM 用于移动、可穿戴和物联网等应用场景。小米、华为、恩智浦是一些早期使用者，并在智能手机、智能手表和微控制器中采用了 MRAM。
案例研讨：NXP MX8MPlus能耗
NXP MX 8M 为一工业物联网平台，具有 512kb L2 高速缓存的 Cortex®-A53 处理器。由于更高的操作能耗（例如breakeven时间），高速缓存的非易失性替换需要最小的待机时间百分比才能有效。对于使用STT-MRAM直接替代SRAM，该比率约为 7.1，例如，对于每一秒的操作，7.1 秒的待机时间将使 STT-MRAM 设计更加节能。由于我们的 VC-MRAM 的运行能量与 SRAM 非常接近，使用VC-MRAM 会使这个比率降低三倍以上，即如果待机比率超过 2.2，则 VC-MRAM 设计会更加高效。因此，无论待机时间长短，系统都可以轻松地从采用我们的 VC-MRAM 技术中受益。