▍产品概述
我们的电压控制磁存储器 （VC-MRAM），也称为磁电 RAM （MeRAM），™代表了非易失性存储器技术的前沿。我们的 VC-MRAM 旨在提供无与伦比的性能、耐用性和能效，是各种高性能应用的完美选择。
▍主要特点
超低功耗
VC-MRAM每次写入操作为<10fJ，在拥有非易失性同时功耗与SRAM相同。与第二代 STT-MRAM 相比，MeRAM 的能耗降低了 100 倍。与商用eFLASH相比，MeRAM的能耗低106倍。
超低功耗
超长使用寿命
耐久性超过1E14个周期，MeRAM是目前耐久性最高的非易失性存储器，与SRAM相当。与第二代 STT-MRAM 相比MeRAM 的耐用性提高了 1000 倍。
超长使用寿命
非易失性，小尺寸
由于低电流驱动要求，MeRAM使用最小外形尺寸的逻辑晶体管与eFLASH大小相同。与第二代 STT-MRAM 相比MeRAM 的单位面积密度提高了 40%。与商用SRAM相比MeRAM的密度提高了3-4倍。
非易失性，小尺寸
超高性能
具有亚纳秒（<1ns）的切换时间。MeRAM速度与SRAM相当，能够达到GHz工作频率。与第二代 STT-MRAM 相比MeRAM 的速度提高了 10 倍。与商用 eFLASH 相比MeRAM 的速度快了 1000 倍。
超高性能
CMOS工艺兼容
MRAM的一大优势是它们可以与现有的CMOS制造工艺无缝集成。这使得紧密耦合的内存和计算设计成为可能，消除了被称为冯·诺依曼瓶颈的片外访问的长延迟和能耗。
CMOS工艺兼容