发展历程
2024年
VC-MTJ技术成功转移至量产线，实现真随机数生成产品的规模化生产。
2023年
获得数千万人民币投资
2022年
在40纳米工艺节点上集成了无外场的192Kb VC-MRAM，展现出优越的存储性能和应用潜力
2021年
落地苏州工业园区获得近千万美元投资。
2020年
在8英寸晶圆上成功实现VC-MTJ。同年，基于VC-MTJ的真随机数生成器（TRNG）通过美国国家标准与技术研究院（NIST）认证，证明其卓越的随机数生成能力。
2018年
开发4Kb VC-MTJ阵列，取得全球最高的电压控制磁各向异性（VCMA）系数，标志着技术的重大突破。
2016年
完成1Mb芯片周边电路的设计与验证，为大规模集成铺平了道路。
2015年
成功开发1Kb VC-MTJ阵列，验证了VC-MRAM的基本存储单元性能。
2012年
在美国加州大学洛杉矶分校（UCLA）团队开始研究电压控制磁阻随机存取存储器（VC-MRAM），并获得美国国家科学基金会（NSF）、国防高级研究计划局（DARPA）等资助，总计达1,800万美元。
