Leader in high-performance general-purpose memory chips and quantum security chip technology
高性能通用存储器芯片和量子安全芯片技术领军者
Leader in high-performance general-purpose memory chips and quantum security chip technology
高性能通用存储器芯片和量子安全芯片技术领军者
SINCE 2013
苏州凌存科技有限公司
凌存科技(Instontech)总部位于苏州工业园区，主要业务为开发第三代电压控制磁性存储器（Voltage-Controlled MRAM）。核心团队有多年研发和产业经验，公司已获得多项电压控制磁性存储器核心专利授权，专利涉及器件设计、电路设计、材料和工艺整合技术等，并且已成功开发出高速、高密度、低功耗的存储器原型机。凌存科技与全球各大晶圆代工厂、设计公司以及研究机构一直保持密切合作。凌存科技以推动电压控制磁性存储器量产为己任；同时希望助力我国半导体行业、尤其是存储器领域的跨越式超越。
产品中心
MeRAM
我们的电压控制磁存储器 （VC-MRAM），也称为磁电 RAM （MeRAM），™代表了非易失性存储器技术的前沿。我们的 VC-MRAM 旨在提供无与伦比的性能、耐用性和能效，是各种高性能应用的完美选择。
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随机数芯片
我们基于电压控制的磁性随机存取存储器 （VC-MRAM） 真随机数发生器 （TRNG） 代表了高速、节能和紧凑的随机数生成方面的突破。利用VC-MRAM的先进功能，我们的TRNG为需要强大和安全随机性的广泛关键应用提供高性能。我们的 TRNG 目前采用 SOP8 封装或裸Die提供，能够在 20mW 功耗下生成高达 400 Mbps 的真随机数。
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