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▍产品概述

我们基于电压控制的磁性随机存取存储器 (VC-MRAM) 真随机数发生器 (TRNG) 代表了高速、节能和紧凑的随机数生成方面的突破。利用VC-MRAM的先进功能,我们的TRNG为需要强大和安全随机性的广泛关键应用提供高性能。我们的 TRNG 目前采用 SOP8 封装或裸Die提供,能够在 20mW 功耗下生成高达 400 Mbps 的真随机数。

 

▍主要特点

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超高速率

我们的TRNG实现了快速随机数生成,速度低于每比特20纳秒,使其适用于对速度至关重要的高性能应用。

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超高速率

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低能耗

我们的TRNG每随机比特的能耗低于100飞焦耳,具有优越的能源效率,是电源敏感环境和“物联网安全”的理想选择。

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低能耗

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小尺寸

我们的TRNG提供紧凑的尺寸,第一代约为1mm²,第二代小于0.5mm²,允许集成到空间受限的设计和SIP封装中。

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小尺寸

电压
功耗
工作电流
输出速率
接口类型
工作温度
封装大小
生产状态

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