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发布时间：
2022-01-01 10:12
来源：
在40纳米工艺节点上集成了无外场的192Kb VC-MRAM，展现出优越的存储性能和应用潜力
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2023年
2021年
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工研院和加州大学洛杉矶分校将合作开发世界先进的存储技术
2024-09-09
随着芯片尺寸的不断缩小，高性能磁随机存取存储器（MRAM）技术已成为主流。
