工业
高性能计算领域
Source: Techreport.com
在高性能计算应用中，算力（和芯片成本）与片上存储器的数量密切相关。高端、服务器级处理器采用越来越大的片上 SRAM 来减少缓存未命中并避免片外数据访问。 SRAM 成本高昂，每个单元需要六个晶体管，经常占据大部分芯片面积。芯片制造商已采取极端措施（比如使用嵌入式 DRAM）来减小面积，然而，却往往增加了系统复杂性和功耗。
案例研讨: VC-MRAM vs SRAM
|
技术路径 |
面积* |
能耗 |
操作频率 |
耐久度 |
零待机耗能 |
|
SRAM |
0.13um^2 |
<10fJ |
1ns |
10^15 |
否 |
|
VCMRAM |
0.034um^2 |
<10fJ |
2ns |
10^14 |
是 |
*28纳米
相比于SRAM缓存，在同样技术节点下，VC-MRAM存储密度提升3~4X倍。值得注意的是VC-MRAM与半导体工艺相兼容，因此，许多已经开始开发其为SRAM替换的产品正在进行中。此外，作为非易失性存储器，保障在断电时关键数据的安全。
