工研院和加州大学洛杉矶分校将合作开发世界先进的存储技术
发布时间:
2022-03-03 15:38
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随着芯片尺寸的不断缩小,高性能磁随机存取存储器(MRAM)技术已成为主流。为了推进下一代MRAM的发展,工业技术研究所(ITRI)和加州大学洛杉矶分校(UCLA)联合签署了一项电压控制磁RAM(VC-MRAM)合作项目。在台湾工业技术部(DoIT)、经济部(MOEA)和美国国防高级研究计划局(DARPA)的支持下,此次合作旨在利用双方的技术专长和创新能力,将材料组件应用于计算和存储的存储芯片。
工研院和加州大学洛杉矶分校签署了一项VC-MRAM合作项目,旨在加快下一代存储器的研发。
据信息技术部称,经济部长期以来一直投资于半导体行业,并鼓励工研院研发自旋轨道扭矩(SOT)MRAM技术。基于这些成果,工研院和加州大学洛杉矶分校进一步合作开发了VC-MRAM,其写入速度比SOT-RAM高50%,能耗低75%,因此是AIoT和汽车行业应用的理想选择。该合作伙伴关系有望加强双方之间的联系,加快新存储技术的研发和产业化,并帮助企业在早期采用尖端制造工艺,以提高其行业竞争力。
工研院副院长兼电子与光电系统研究所所长吴志义博士强调,VC-MRAM具有读写速度快、功耗低等优点,适合节能低碳排放应用,为工研院与加州大学洛杉矶分校的合作提供了黄金机会。他说:“这是工研院首次在合作项目中获得DARPA的实际资助。我们相信,我们的优势可以结合起来,为VC-MRAM技术的发展增添更大的深度。”。
加州大学洛杉矶分校杰出教授兼雷神公司电气工程主席王康博士表示,工研院作为国际知名的应用研究机构,拥有独特的强大专业知识和技术能力。双方在MRAM技术方面有着坚实的基础和研发实力,双方应该能够通过合作利用各自的基础,取得更多突破性的成就。
加州大学洛杉矶分校教授兼电路与嵌入式系统领域主任Sudhakar Pamarti博士表示,工研院在组件开发和制造验证方面拥有平台和经验。通过实现加州大学洛杉矶分校在工艺开发方面的创新理念,将材料组件的开发推向相关应用。他预计,到2023年初,通过此次合作开发的先进技术将为下一代存储器创造一个全新的范式。
工研院多年前就开始培育MRAM技术,包括元件创新、材料突破和电路优化,并准备满足人工智能和5G时代对大数据快速处理的需求。这是展示工研院致力于推广智能化使能技术和促进创新应用的例子之一。工研院将继续与工业、学术和研究机构携手,帮助行业升级技术,探索新的解决方案,创造新的可能性。